高盛研报解读：2027年DRAM供需缺口-5.9%、NAND -4.6%，这次为何是“结构性“短缺
高盛（Goldman Sachs）在2026年10月1日的研究报告中，将2027年DRAM供需缺口从原先预测的-2.5%下修至**-5.9%，缺口深度超过两倍；NAND也预估出现-4.6%**的短缺，且严重紧俏将延续到2028年。高盛甚至用上了"过去15年最严重的供需"这一表述。本文拆解这组数字的来源、"结构性"判断的三个依据，以及对主要存储厂商的含义。
30秒要点
- 2027年DRAM供需平衡：-2.5% →-5.9%；NAND：-4.6%。2028年预计仍在负区间（DRAM -3.0%、NAND -3.9%）。
- "结构性"的三个依据：AI服务器需求的可见性、受限的供给增长、同时锁住量与价的长期供货协议（LTA）。
- 词元（token）的数学：高盛预测全球词元消耗到2030年增长24倍、达每月120垓（quadrillion）个——词元消耗直接对应内存需求。
- 铠侠正把2028年产量的50%用LTA锁住；其2026年NAND产能已被客户订单卖光。
- 韩国视角：三星电子、SK海力士站在定价权顶点。KB证券预估2027年HBM价格同比+100%，三星HBM营收中HBM4占比从40%升至80%。
一、数字的解剖：-5.9%是怎么来的
供需平衡（supply-demand balance）是供给相对需求的缺溢率，负值代表需求超过供给，即短缺。看年度走势，结构就清楚了：2025年（DRAM -0.9% / NAND -0.8%）与2026年（-1.4% / -0.6%）是温和短缺，到2027年像悬崖一样加深，2028年也没有回到正区间。不是V型也不是U型，更像L型——先加深，再缓慢回升。
为什么偏偏是2027年？需求端，AI服务器用内存爆发；供给端，扩产追不上需求。KB证券分析指出，不含HBM的通用DRAM产能占比，将从2025年的73%降至2027年的59%——晶圆产能被HBM吸走，通用DRAM随之萎缩。供给减少，价格就涨。
二、为何这次是结构性的：三个理由
第一，AI服务器需求的可见性。过去周期的需求系于PC、手机的换机周期，难以预测。现在不同：AI数据中心的内存需求如实反映在超大规模云厂商的资本支出（capex）计划里，服务器用内存占2026~2027年整体DRAM需求的50%以上。需求"看得见"，供给方就没有理由陷入过度扩产的诱惑。
第二，受限的供给增长。三巨头（三星、SK海力士、美光）维持"供应纪律（supply discipline）"——不把晶圆厂开满、守住价格。美光产能到2027年都绑在每月12万~14万片的水位，SK海力士2026年HBM产量已经卖光。而新厂从动工到量产需要约3年，供给弹性天然受限。
第三，LTA的僵化。长期供货协议把量与价同时锁住。美光已拿到客户超过320亿美元的LTA承诺，铠侠正把2028年产量的50%用LTA绑住。合约越长，现货市场的价格信号越钝，周期的振幅越小，过去"谁先扩产"的胆小鬼博弈难以重演。
三者咬合，结论只有一个：短缺延续到2028年，甚至更久。SK海力士CEO在2026年7月表示"2027年是最糟的一年，需求超过供给的状态会延续到2030年之后"；美光CEO也在2026年9月财报中断言"2027年与2028年的供需会比今年紧得多"。
三、词元的数学：24倍、每月120垓个
追溯内存需求的根源，会找到词元。高盛预测，随着自主AI智能体（agent）扩散，全球词元消耗到2030年增长24倍、每月达120垓个。智能体在给出一个答案之前，要经过请求解读→工具选择→数据检索→结果评估→反复调用， 看得见的答案只是全部词元的一小部分。词元单价在跌，但每个任务的词元消耗爆炸性增长。
词元与内存的关系是直接的：推理1个词元要消耗HBM带宽，智能体的上下文维持要占用DRAM容量。词元24倍，就是内存比特需求的结构性上调。这也是高盛把HBM市场规模预测从2027年的750亿美元上调到1,160亿美元的背景。可以说，词元经济就是内存经济。
四、铠侠的50%：LTA这件武器
这次周期中动作最激进的是铠侠。这家NAND专业厂的目标，是把2028年出货量的50%用长期供货协议绑住。早在2026年2月，铠侠就确认"2026年NAND产能已被客户订单完全锁住"，部分超大规模客户甚至提出了涵盖2027~2028年的长期供应需求；其与SanDisk在四日市的合资合约也延长到2034年底。
LTA 50%的含义是双面的：对供应者是波动性对冲（价格跌了也有一半受保障），对市场则是紧俏的固化（流到现货市场的量少了一半）。高盛已把铠侠从Hold上调到Buy，并将20272029年营业利润预测上调1648%，预估毛利率达80%水平。对内存这种景气敏感产业给出3年期的高盈利预测，是异常强烈的表述。
五、赢家、输家与风险
- 三星电子：全球第一DRAM厂商 + HBM4领导地位。KB证券认为2027年HBM售价同比涨100%以上，三星HBM营收中HBM4占比将从40%跳到80%。通用DRAM产能移往HBM（73%→59%），连通用DRAM价格一起拉抬，形成双重效果。
- SK海力士：HBM王座 + 铠侠持股。2026年HBM已售罄，是2027年涨价的最大受益者，NAND方面也有通过铠侠持股的间接受益。
- 美光：320亿美元LTA承诺锁住需求可见性，营业利润率站在70%级别的顶点。
- 铠侠：NAND短缺的纯受益者。eSSD占NAND营收超过60%（年底预估），产品组合正转向数据中心高毛利。
风险同样要写清楚：消费端AI工作流扩散缓慢是核心下行风险。智能手机生产预估2026年同比下降15~20%，笔记本出货也减少约10%。如果AI只在数据中心里转、没有扩散到消费装置，内存需求中消费端的那部分就会落空。另外，TrendForce对NAND提出"2027年供给追上需求"的不同看法，与高盛的-4.6%相左——NAND一侧需要留意视角差异。
六、韩国视角：定价权的顶点
对韩国内存双雄，这次周期很特别。过去它们是"胆小鬼博弈的受害者"，现在是供应纪律的设计者。高盛估算2026年通用DRAM价格同比上涨176%，营业利润率70~80%是半导体史上都罕见的区间。关键在于，这个局面被设计成"3年期"而非"1年期"：LTA铺好了、扩产慢了、词元需求撑着。
但戒心也需要。需求方中也有认为"短缺已经结束"的视角（例如宏碁CEO），还有2027年底~2028年初供给急增的剧本。"结构性"的判断与周期顶点之间，只差一张纸。
FAQ
Q1. 高盛原始报告看得到吗？
原文是高盛客户专属研究，没有公开。本文数字是整理其2026年10月1日报告的二次摘要，并与行业报道交叉验证。投资判断前请确认原文。
Q2. DRAM -5.9%、NAND -4.6%是确定值吗？
不是，是2027年预测值（estimate）。这是高盛把原先预测（-2.5%）下修两倍以上的数字，实际供需会随需求与扩产速度变化。
Q3. 词元24倍预测和内存直接相关吗？
间接但结构性。AI智能体的词元消耗增加 → 推理用HBM带宽需求 → 数据中心DRAM/NAND需求扩大，是同一条链。高盛把HBM市场预测从750亿美元上调到1,160亿美元也是同一脉络。
Q4. NAND方面不是有不同看法吗？
对。TrendForce认为2027年NAND供给会追上需求。与高盛的-4.6%有视角差，NAND这边宜保守看待。DRAM方面的异议较少。
本文首发于 VLSI Korea（韩国半导体产业媒体），为原文的中文再编辑版。原文链接：https://www.vlsi.kr/zh/goldman-sachs-2027-dram-nand-memory-shortage-zh/
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